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SiC MOSFET 裸芯片 KGD 測試零碎上海铝合金
功傚特色産品葠數
功傚特色:

極低襍散電感,支撐高質量的KGD動態(短路)測試

超快速珍愛,最大限制削減socket和探針的破壞

前進前輩的在線原位探針幹淨技術,確保高良率測試

前進前輩的Handler處理企圖,以完成最高的UPH

靜態測試站

測試葠數:V(BR)DSS,IDSS, IGSS, RG(int), VGS(th), Ciss, Coss, Crss, RDS(on), VF

典型測試精度:IGS:0.1% + 500 pA (@10nA), IDS: 0.2% ± 25mA (@500A), VGS: 0.015% + 2.4 mV (@20V ), VDS: 0.05% + 1.2V(@3500V), C: 0.05%

測試能力张家港市八方铝业有限公司:最高支撐 3500V, 500A

測試溫度:常溫至200℃

動態測試站(包括短路)

測試葠數:Tdon, Tdoff, Tr, Tf, Eon, Eoff, didton, didtoff, dvdton, dvdtoff, Imax, Vmax, Tsc, Esc, Psc, Isc

典型測試精度:IDS: 4%, VGS: 1.5%, VDS: 2%

測試能力张家港市八方铝业有限公司张家港市八方铝业有限公司:最高支撐 2000V, 2000A

測試溫度:常溫至200℃

雪崩測試站

測試葠數:IAS, VDS*, EAS

典型測試精度:IDS: 2%, VGS: 1.5%, VDS: 2%

測試能力张家港市八方铝业有限公司张家港市八方铝业有限公司:最高支撐 3000V, 200A, 20J

測試溫度:常溫至200℃

技术支持-张家港市八方铝业有限公司